- Lấy mẫu lên đến 80 MS/s
- 4 đầu vào tương tự đồng thời
- ADC 16-bit độ phân giải cao
- Băng thông lên đến 40 MHz cho ngõ vào tương tự
- Bộ nhớ lưu trữ tích hợp 1 GB
- Phạm vi điện áp ngõ vào có thể lập trình ± 0.5V, ± 1V, ± 5V hoặc ± 10V
- Bộ truyền dữ liệu DMA Scatter-Gather để truyền dữ liệu tốc độ cao
- Có sẵn bộ lọc kỹ thuật số tích hợp 10 hoặc 20 MHz
- Hỗ trợ xung lấy mẫu bên ngoài (20MHz đến 80MHz) hoặc xung tham chiếu bên ngoài(10MHz)
- Hỗ trợ tự động hiệu chỉnh “auto-calibration”
Thông số kỹ thuật
Ngõ vào tương tự
Kênh: 4 kênh đơn
Trở kháng ngõ vào: 50Ω hoặc 1MΩ, lựa chọn trên phần mềm
Khớp nối ngõ vào: DC hoặc AC, lựa chọn trên phần mềm
Dải ngõ vào: ±0.5V, ±1V, ±5V, ±10V (±10V chỉ hỗ trợ trở kháng ngõ vào 1MΩ)
Độ phân giải ADC: 16bit
Băng thông ngõ vào tương tự: 40MHz
Bộ lọc số: 10MHz/20MHz, lựa chọn trên phần mềm
Bộ kích hoạt
Nguồn
- Phần mềm
- Bộ kích số ngoài
- Bộ kích tương tự từ kênh 0 đến kênh 3
- Bus kích PXI [0..7]
- Bộ kích PXI STAR
- PXIe_DSTARB
Chế độ kích: Kích sau, kích trước, kích giữa, kích trễ, kích lại cho chế độ kích trễ và kích sau
Bộ kích số ngoài
- Khả năng tương thích điện áp ngõ vào: 3.3V TTL, chấp nhận 5V
- Ngưỡng điện áp ngõ vào: VIL<0.8V, VIL>2.0V
- Độ rộng xung kích: 20ns, tối thiểu
Timebase
Nguồn xung mẫu
- Bên trong: xung tích hợp
- Bên ngoài: CLK IN (mặt trước)
Tần số cung mẫu
- Bên trong: 1.22KHz đến 80MHz (chia cho bộ đếm tần số bên trong)
- Bên ngoài: 20MHz đến 80MHz (CLK IN)
Dải ngõ vào xung mẫu bên ngoài: 0.45Vpp đến 5Vpp
Trở kháng ngõ vào xung mẫu bên ngoài: 50Ω
Đầu nối ngõ vào xung mẫu bên ngoài:
- CLK IN mặt trước
- PXI 10MHz từ khung “chassis” PXI/PXIe
Tần số xung tham chiếu bên ngoài: 10MHz ± 2KHz
Bộ truyền và lưu trữ dữ liệu
Bộ nhớ tích hợp 1GB, chia sẽ cho 4 ngõ vào tương tự
Bộ truyền dữ liệu Scatter-Gather DMA
I/O
4 SMA cho ngõ vào tương tự (CH0, CH1, CH2, CH3)
1 SMA cho xung lấy mẫu và xung tham chiếu bên ngoài (CLK IN)
1 SMA cho ngõ vào bộ kích bên ngoài (TRG IN)
Thông số vật lý
Kích thước: 3U, 1 khe, PXI Express, 165 (W) x 100 (H) mm
Giao tiếp bus: PCI Express Gen1 x 4
Nhiệt độ môi trường vận hành: 0°C đến 50°C (32°F đến 122°F)
Nhiệt độ môi trường lưu trữ: -20°C đến 80°C (-4°F đến 176°F)
Độ ẩm tương đối cho lưu trữ và vận hành: 5% đến 95%, không ngưng tụ
Công suất tiêu thụ tối đa
- +3.3V/70mA; +12V/753mA
- Tổng công suất: 9.28W