1) Mô tả
- Lấy mẫu lên đến 80 MS/s
- 4 ngõ vào tương tự đồng thời
- ADC 16 bit độ phân giải cao (PCIe-9834)
- Băng thông lên đến 40 MHz cho ngõ vào tương tự
- Bộ nhớ lưu trữ tích hợp 1 GB
- Dải điện áp ngõ vào có thể lập trình ± 0.5V, ± 1V, ± 5V hoặc ± 10V
- Bộ truyền dữ liệu DMA Scatter-Gather để truyền dữ liệu tốc độ cao
- Cung cấp bộ lọc kỹ thuật số tích hợp 10 hoặc 20 MHz (FPGA)
- Cung cấp modul PLL để đồng bộ hóa chính xác (PCIe-9834P)
- Hỗ trợ cho:
- Một ngõ vào kích hoạt kỹ thuật số bên ngoài
- Một ngõ vào xung bên ngoài
- Tự động hiệu chỉnh
2) Điểm nổi bật
Hiệu suất biến dạng thấp
Hiệu suất động chính xác cao ở 78dB SFDR, 67dB SNR và -78dB THD
Cấu hình linh hoạt, dễ dàng
Trở kháng đầu vào 50Ω hoặc 1MΩ có thể lựa chọn phần mềm và dải ngõ vào ± 0,5V, ± 1V, ± 5V hoặc ± 10V cung cấp tính linh hoạt cần thiết để đáp ứng các yêu cầu ứng dụng khắt khe nhất
Bộ lọc kỹ thuật số dựa trên FPGA
- Bộ lọc kỹ thuật số giúp giảm nhiễu hiệu quả và tăng khả năng hiển thị tín hiệu, loại bỏ nhiễu ngoài bằng tần “out-of-band” và nhiễu nền trong các ứng dụng tần số thấp hơn
- Hỗ trợ giảm nhiễu tín hiệu dưới 20 MHz
API chức năng đo lường
- Các API đo lường dễ dàng chuyển đổi các kết quả đo điện áp/thời gian cơ bản mà không cần lập trình
Thông số kỹ thuật
Ngõ vào tương tự
Số kênh: 4 single-ended
Trở kháng ngõ vào: 50Ω hoặc 1MΩ, lựa chọn trên phần mềm
Khớp nối ngõ vào: DC
Dải tín hiệu ngõ vào: ±0.5V, ±1V, ±5V, or ±10V(±10V chỉ hỗ trợ cho trở kháng ngõ vào 1MΩ)
Bảo vệ quá áp: ±30V@ 1M Ω, ±10V và ±5V ; ±10V@ 1M Ω, ±1V và ±0.5V ; ± 10V sóng sim/ 7 Vrms@ 50 Ω, ±5V, ±1V và ±0.5V
Độ phân giả ADC: 16bit
Băng thông: 40MHz
Trigger
Nguồn kích
- Phần mềm
- Bộ kích số bên ngoài
- Bộ kích tương tự từ CH0 đến CH3
- SSI
Chế độ kích hoạt: kích sau, kích trước, kích giữa, kích trễ
Ngõ vào kích số bên ngoài
- Nguồn: đầu kết nối SMB mặt trước
- Khả năng tương thích: 3.3V TTL, dung sai 5V
- Ngưỡng ngõ vào cao: 2.0V
- Ngưỡng ngõ vào thấp: 0.8V
- Quá tải ngõ vào tối đa: -0.5 V đến +5.5 V
- Cực kích: cạnh tăng hoặc giảm
- Độ rộng xung: tối thiểu 20ns
Timebase
Nguồn xung mẫu
- Bên trong: xung tích hợp (oscillator)
- Bên ngoài: CLK IN (mặt trước)
Tần số xung mẫu
- Bên trong: 1,22K Hz đến 80M Hz
- Bên ngoài: 20M Hz đến 80M Hz (CLK IN)
- Độ chính xác timebase bên trong: <± 25 ppm
Dải ngõ vào xung mẫu bên ngoài: 1Vpp đến 5Vpp
Nguồn xung tham chiếu bên ngoài
- REF_CLK (mặt phía, chỉ PCIe-9834P)
Tần số xung tham chiếu bên ngoài: 10MHz
Dải ngõ vào xung tham chiếu bên ngoài: 3.3V đến 5V TTL
Bộ truyền và lưu trữ dữ liệu
Bộ nhớ tích hợp 1GB, chia sẽ cho 4 ngõ vào tương tự
Bộ truyền dữ liệu Scatter-Gather DMA
- Thông số kỹ thuật chung
Đầu kết nối I/O PCIe-9834:
- 4 SMB cho ngõ vào tương tự
- 1 SMB cho ngõ vào kích bên ngoài
- 1 SMB cho ngõ vào xung mẫu bên ngoài
- 1 SMB cho ngõ vào xung tham chiếu bên ngoài (chỉ cho PCIe-9834P)
Kích thước (không bao gồm kết nối): 167.64 (W) x 106.68 (H) mm (6.53” x 4.16”)
Giao diện bus: PCI Express gen 1 x4
Nhiệt độ môi trường vận hành: 0°C đến 50°C (32°F đến 122°F)
Nhiệt độ môi trường lưu trữ: -20°C đến 80°C (-4°F đến 176°F)
Độ ẩm tương đối: 10% đến 90%, không ngưng tụ
Công suất tiêu thụ:
PCIe-9834
- +3.3 V – 18(chờ “standby” mA) – 18(tải đầy đủ mA)
- +12 V – 450(chờ “standby” mA) – 470(tải đầy đủ mA)
- Tổng công suất(W): 5459(chờ “standby”) – 5699(tải đầy đủ)
PCIe-9834P
- +3.3 V – 18.7(chờ “standby” mA) – 21.4(tải đầy đủ mA)
- +12 V – 675(chờ “standby” mA) – 697(tải đầy đủ mA)
- Tổng công suất(W): 8162(chờ “standby”) – 8435(tải đầy đủ)
Ứng dụng
Truyền dữ liệu lên đến 640MB/s
- PCIe-9834 truyền dữ liệu trên 4 kênh với tốc độ tối đa 80 MS/s
- Hệ thống RAID driver 8 x 500 GB (4TB)
- Modul PLL tùy chọn cho phép lấy mẫu nhiều card đồng thời chính xác
Thu nhận tín hiệu Radar IF & truyền dữ liệu